소개
실리콘 카바이드 (sic)우수한 물리적 및 화학적 특성을 가진 광범위한 밴드 갭 반도체 재료입니다. 그 특성에는 높은 밴드 갭 폭 (3.2ev), 높은 고장 전기장 강도 (실리콘의 10 배), 높은 열전도율 (3.7W/cm · k) 및 고온 포화 드리프트 속도가 포함되어있어 고온, 고압 및 고주파 환경에서 잘 작동합니다. 또한, SIC 장치는 전도 손실, 높은 스위칭 주파수 및 강한 방사선 저항을 가지므로 에너지 전환 효율을 크게 향상시킵니다.
애플리케이션
sic전력 전자 장치, 새로운 에너지 차량, 철도 교통 및 재생 가능 에너지에 널리 사용됩니다. 전력 전자 장치에서는 고전압 및 고출력 장치 (예 : MOSFET 및 DIODE)를 제조하는 데 사용됩니다. 새로운 에너지 차량에서는 모터 드라이브, 온보드 충전 및 빠른 충전 시스템에 사용됩니다. 태양 광 및 풍력 발전에서는 인버터 효율을 향상시킵니다. 또한 항공 우주, 5G 기지국 등과 같은 고온 및 고주파 시나리오에서도 사용됩니다. SIC 기술은 효율적인 에너지 활용 및 녹색 에너지 개발을 촉진하고 있습니다.
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등급 |
화학 조성 (%) |
|||
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sic |
FC |
Fe2O3 |
수분 |
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최소보다 크거나 동일합니다 |
최대보다 작거나 동일합니다 |
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SIC 90 |
90.0 |
3.0 |
1.20 |
0.50
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SIC 88 |
88.0 |
4.0 |
1.50 |
|
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SIC 85 |
85.0 |
4.5 |
1.80 |
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SIC 80 |
80.0 |
5.0 |
3.0 |
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SIC 70 |
70.0 |
8.0 |
4.0 |
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크기
{{0}} mm, 0-10 mm, 0-5 mm, 0. 5-5 mm; 등
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